Изучено влияние предварительной термической обработки графитового теплового узла на концентрацию углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского на установках с камерой низкого давления. Установлено, что вакуум-термическая подготовка ростовой камеры с тепловым узлом является эффективным способом понижения концентрации углерода в ПИН GaAs и при высокотемпературной дегазации теплового узла достигается минимальное и воспроизводимое его содержание в выращиваемых кристаллах. Это cвязано с уменьшением в атмосфере камеры содержания газообразных продуктов окисления графита (СО₂, СО и др.).

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"