Венгер Е. Ф. Влияние отжига на электронные свойства реальной и сульфидированной поверхностей арсенида галлия / Е. Ф. Венгер, С. И. Кириллова, И. А. Мазарчук, В. Е. Примаченко, В. А. Чернобай // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 27-37. - Библиогр.: 26 назв. - рус.Методами температурных и электрополевых зависимостей поверхностной фотоЭДС исследованы электронные свойства реальной и сульфидированной поверхностей (100) n-GaAs до и после отжигов при 350 °С в потоке гелия. Показано, что система поверхностных электронных состояний (ПЭС), перестраивающаяся на реальной поверхности при понижении температуры в диапазоне 300-100 К, становится после отжига стабильной. Отжиги реальной и сульфидированной поверхностей увеличивают плотность ПЭС, находящихся на границах раздела GaAs-поверхностная пленка, а также ПЭС, находящихся в оксидной или сульфидной пленках и на их внешней границе. Отжиги несколько перестраивают спектр ловушек, захватывающих неравновесные дырки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|