Стороженко И. П. Вольтамперные характеристики диодов Ганна с двумя активными областями и гетеропереходом / И. П. Стороженко // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна. - 2001. - № 513. - С. 65-68. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Представлены результаты исследования вольтамперных характеристик (ВАХ) m-n : InP1 - xAsx-n : In0,4Ga0,6As-n+ : In0,4Ga0,6As диодов Ганна с длиной активных областей 2,5 и 1,0 мкм. Показано, что в диоде с запорным металлическим катодом и длиной активных областей 2,5 мкм, в зависимости от внешнего поля, возможно распространение дипольных доменов в n : InP1 - xAsx-, n : In0,4Ga0,6As-области или одновременно в двух областях. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|