Методом ємнісної спектроскопії глибоких рівнів досліджено вплив домішки олова на дефектоутворення в n-Si, вирощеного методом Чохральського (Cz) за умови опромінення протонами з енергією 61 МеВ. Проведено порівняння зі спектрами глибоких рівнів опромінених p⁺-n-діодів, виготовлених на основі n-Si зонної плавки (FZ) без домішки Sn. Виявлено, що в легованому Sn матеріалі додатково утворюються два радіаційні електронні рівні з енергіями (0,29 +- 0,01) і (0,61 +- 0,02) еВ нижчими за дно зони провідності. Встановлено, що ці центри відпалюються за температури 120 °C. Крім того, встановлено, що швидкості введення киснево-вакансійних комплексів (A-центрів) і дивакансій (V₂) значно нижчі в Si з домішкою Sn.

• Неймаш Володимир Борисович (фізико-математичні науки)
• Красько Микола Миколайович (фізико-математичні науки)
• Пузенко Олена Олександрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"