Числовим методом у кінематичному наближенні розраховано розподіли інтенсивності рентгенівських променів, розсіяних кристалами надпровідникових сполук (Sr,Ca)CuO₂, що містять планарні дефекти у вигляді відносно товстих прошарків, структура яких відрізняється від структури кристала-матриці. Розглянуто можливість кореляції у взаємному розташуванні цих дефектів. Показано, що існують загальні закономірності впливу планарних дефектів на дифракційну картину дефектів у таких кристалах та кристалах YBa₂Cu₃O₇, навіть заумов істотної відмінності між структурами планарних дефектів у цих двох типах надпровідників.

• Устінов Анатолій Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"