Вивчено й узагальнено дані щодо структуроутворення та діелектричних характеристик матеріалів з використанням Sі₃N₄, отриманих гарячим пресуванням і активованим спіканням. Діелектричні характеристики виміряно в діапазоні частот 1 кГц - 10 МГц. Встановлено, що на рівень діелектричних характеристик матеріалів значний вплив справляє кількість високодисперсного плазмохімічного порошку Sі₃N₄ у шихті.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"