Для создания вакансионных дефектов алмазный монокристалл типа Ia облучали электронами с энергией 3,5 МэВ последовательно возрастающими дозами: 5 ^. 10¹⁶, 2 ^. 10¹⁷, 4 ^. 10¹⁷ и 2 ^. 10¹⁸ э/см². До и после каждой дозы образец исследовали комплексом методов, включающих позитронно-аннигиляционную спектроскопию, электронный парамагнитный резонанс и оптическую спектроскопию в видимой и инфракрасной областях спектра. Прямым методом позитронной аннигиляции установлено образование в образце вакансий в нейтральном, и отрицательном зарядовом состояниях. Оценены удельные скорости захвата и поперечные сечения захвата позитронов каждым видом вакансионных дефектов.

• Михаленков Віктор Серафимович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"