Комник Ю. Ф. Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю. Ф. Комник, В. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, С. С. Крячко, М. Миронов, Т. Е. Волл // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 8. - С. 829-836. - Библиогр.: 19 назв. - рус.Вивчено температурні та магнітопольові зміни опорів гетеропереходів Si/SiGe з дірковим типом провідності. Показано, що особливості цих залежностей пов'язані з проявом квантових інтерференційних ефектів - слабкою локалізацією рухомих носіїв заряду та міждірковою взаємодією у двовимірній електронній системі. На підставі аналізу квантових інтерференційних ефектів було визначено температурну залежність часу перебою фази хвильової функції носіїв заряду: tauphi = 6,6 . 10-12 T-1 c. Залежність tauphi propto T-1 треба розглядати як виявлення процесів міждіркового розсіювання у двовимірній електронній системі. Виділено внесок у магнітоопір ефекту міждіркової взаємодії у куперівському каналі та знайдено відповідну константу взаємодії lambda0C =~ 0,5. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|