Сливка О. Г. Критична поведінка діелектричної проникності кристала Sn2P2S6 в околі точки Ліфшиця / О. Г. Сливка // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 9. - С. 1105-1107. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Проведено експериментальні дослідження температурної залежності діелектричної проникності epsilon (T) сегнетоелектрика Sn2P2S6 з застосуванням різних гідростатичних тисків. Встановлено, що під час фазового переходу, близького до точки Ліфшиця, індукованої тиском, значення критичного індексу для температурної залежності epsilon (T) становить gamma = 1,28 +- 0,02. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|