РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000032760<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Сливка О. Г. 
Критична поведінка діелектричної проникності кристала Sn2P2S6 в околі точки Ліфшиця / О. Г. Сливка // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 9. - С. 1105-1107. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.

Проведено експериментальні дослідження температурної залежності діелектричної проникності epsilon (T) сегнетоелектрика Sn2P2S6 з застосуванням різних гідростатичних тисків. Встановлено, що під час фазового переходу, близького до точки Ліфшиця, індукованої тиском, значення критичного індексу для температурної залежності epsilon (T) становить gamma = 1,28 +- 0,02.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського