Исследованы магнитные, магниторезистивные rho(T,H), термоэлектрические (коэффициент Зеебека) S(TH) и высокочастотные свойства тонких пленок La_0,7Mn_1,3O_3-delta выращенных методом реактивного магнетронного напыления. Низкотемпературный переход металл-диэлектрик, обусловленный обогащением as-deposited пленок кислородом, интерпретируется в модели андерсоновской локализации носителей заряда из-за спинового беспорядка. Экспериментальные результаты для rho(T,H) и S(T,H) обсуждаются в рамках феноменологической модели магнитного полярона с предположением о кроссовере проводимости поляронов. Показано, что высокочастотные характеристики пленки (прежде всего ширина линии магнитного резонанса) вблизи критической температуры являются флуктуационно чувствительными величинами магнитного упорядочения системы.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"