Проведено дослідження особливостей відпалу радіаційних дефектів n-Si в діапазоні температур 100 - 160 К. Встановлено, що картина відпалу суттєво залежить від характеристик вихідного матеріалу та дози опромінювання. В цілому стадія відпалу 100 - 160 К опроміненого n-Si складається не з двох процесів, як вважалось раніше, а з трьох: зникнення дефектів V₂Si_i та появи вільних вакансій; руху вакансій та їх взаємодії з атомами кисню, що призводить до утворення дефектів VO₁₀₀ (попередник A-центрів); перетворення дефектів VO₁₀₀ на A-центри. Отримано кінетичні параметри для кожного з процесів відпалу. Показано, що енергія активації процесу утворення дефектів VO₁₀₀ менша, ніж енергія активації дифузії вакансій на глибину електронного рівня двічі негативної вакансії.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"