Крайчинський А. М. Особливості низькотемпературного відпалу дивакансійних дефектів у кремнії / А. М. Крайчинський, С. О. Пуцелик, І. С. Рогуцький // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 5-6. - С. 597-601. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Проведено дослідження особливостей відпалу радіаційних дефектів n-Si в діапазоні температур 100 - 160 К. Встановлено, що картина відпалу суттєво залежить від характеристик вихідного матеріалу та дози опромінювання. В цілому стадія відпалу 100 - 160 К опроміненого n-Si складається не з двох процесів, як вважалось раніше, а з трьох: зникнення дефектів V2Sii та появи вільних вакансій; руху вакансій та їх взаємодії з атомами кисню, що призводить до утворення дефектів VO100 (попередник A-центрів); перетворення дефектів VO100 на A-центри. Отримано кінетичні параметри для кожного з процесів відпалу. Показано, що енергія активації процесу утворення дефектів VO100 менша, ніж енергія активації дифузії вакансій на глибину електронного рівня двічі негативної вакансії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|