Renormalization of the low-energy part of the electron spectrum due to confined (L) and interface (I) phonons in spherical QD embedded into the external semiconductor medium is investigated totally taking into account the configurational interaction by the example of beta-HgS/CdS nanogeterosystem. It is shown that a shift of the ground electron level due to the interaction between the electron and L- and I-phonons within all states of discrete and continuous spectra almost does not depend on the QD size. Its magnitude is close to a ground level shift in the massive crystal creating QD. Exited electron levels with energy E_nl (l > 0) are splitted into l + 1 components, whose energy is characterized by its own magnitude of the total energy shift DELTA^nlm depending on | m |. DELTA^nlm values monotonously increase at the bigger nanogeterosystem radius and saturate for big QD sizes. Electron levels with quantum numbers n, l > 0 do not interact with the ground level and electron levels with n_i, l_i for which l_i < l.

• Ткач Микола Васильович (фізико-математичні науки)
• Ткач Маргарита Володимирівна (психологічні науки)
• Ткач Марина Валеріївна (філологічні науки)
• Міхальова Мілана Яківна (фізико-математичні науки)
• Фартушинський Ростислав Богданович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"