Представлены результаты исследований и разработки полупроводниковых управляющих устройств в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн с использованием p - i - n-диодов сосредоточенного и распределенного типов. Р - i - n-диоды сосредоточенного типа смонтированы в диэлектрические втулки с заданными размерами, которые обеспечивают трансформацию входного импеданса к клеммам диодов с минимальными собственными потерями. Диоды распределенного типа имеют геометрические размеры, соизмеримые с длиной волны, и выполнены в виде бескорпусных n - i - p - i - n-структур.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"