Саченко А. В. Предельная эффективность кремниевых солнечных элементов с n+ - p - p+-структурой / А. В. Саченко, Н. А. Прима, А. П. Горбань // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 86-94. - Библиогр.: 14 назв. - рус.В условиях АМ0 проведен самосогласованный расчет предельной эффективности кремниевых диффузионных солнечных элементов с тонкой базой. При расчете учтены вырождение носителей и сужение запрещенной зоны в сильно легированных областях, топология фронтального контакта, поглощение света свободными носителями. Смоделировано полное поглощение фотоактивного освещения в СЭ. Рассмотрены рекомбинация Шокли - Рида, межзонная излучательная рекомбинация и межзонная рекомбинация Оже. Установлено, что при толщинах n+-области, больших 2 . 10-5 см, существует оптимальный уровень ее легирования N approx 1019 см-3, при котором достигается максимальная эффективность фотопреобразования. Происходит это из-за изменения соотношения между темпом рекомбинации под контактами и в межконтактных промежутках по мере изменения N. Показано, что в высокоэффективных СЭ с тонкой базой (время рекомбинации Шокли - Рида >= 10-2 с), в отличие от случая толстой базы, эффективность фотопреобразования вплоть до уровней легирования базы approx 1017 см-3 практически постоянна. Показано, что поглощение света свободными носителями в сильно легированных областях может приводить к заметным потерям эффективности фотопреобразования. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.83
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|