Досліджено фоторефрактивні решітки, записані наносекундними лазерними імпульсами в кристалі CdTe, легованому Fe. Показано, що в даному кристалі, який характеризується підвищеною рухливістю електронів (mu_c = 1500 см²/(B ^. c)), спостерігається швидкий фоторефрактивний відгук при імпульсній накачці (lambda_Г = 1,06 мкм, tau_i = 10 нс) із максимальним коефіцієнтом підсилення Г, що дорівнює 0,3 см^-1. На основі отриманих орієнтаційних залежностей коефіцієнта підсилення, а також залежностей коефіцієнта підсилення від періоду решіток та інтенсивності записуючого опромінення розраховано дебаївську довжину екранування, ефективну концентрацію центрів захоплення носіїв та інші параметри кристала, що досліджувався, у тому числі коефіцієнт двополярної провідності, що враховує конкуренцію неосновних носіїв заряду. Наявність, природу та роль центрів, що беруть участь у процесі фоторефрактивного запису, а також роль легуючої домішки заліза досліджували за допомогою низькотемпературних спектральних вимірів та методик фотогальванічних струмів (ФГС). Отримані дані дозволили побудувати енергетичну схему реалізації фоторефрактивної нелінійності в кристалі телуриду кадмію, легованому залізом. Ці результати можуть бути використані технологами з метою оптимізації фоторефрактивних параметрів нового середовища для запису інформації.

• Борщ Анатолій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Волков Валентин Іванович (медичні науки)
• Волков Володимир Іванович (технічні науки)
• Волков Володимир Іванович (1937–) (медичні науки)
• Гамерник Роман Васильович (технічні науки)
• Гнатенко Юрій Павлович (технічні науки)
• Руденко Вячеслав Іванович (юридичні науки)
• Руденко Валентин Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"