Каширіна Н. І. Просторовий розподіл рухомих іонів у напівпровіднику під дією електричного поля / Н. І. Каширіна, В. В. Кислюк, М. К. Шейнкман // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 7. - С. 856-862. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Зроблено аналіз можливості перерозподілу заряджених точкових дефектів у напівпровіднику, вміщеному в електричне поле. Розглянуто три різні випадки створення поля: а) прикладання напруги до контактів, безпосередньо нанесених на зразок, б) поле конденсатора, в)поле бар'єра Шотткі. Проаналізовано можливості вилучення рухомих донорних дефектів Cdi з об'єму сульфіду кадмію під дією електричного поля. Показано, що в полях E approx 6 . 104 В/см (для зразка одиничної довжини з початковою концентрацією рухомих іонів 1015 см-3) концентрація рухомих донорів в об'ємі може бути зменшена на чотири порядки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|