РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000034451<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Андриевский В. В. 
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, Ю. Ф. Комник, О. А. Миронов, Т. Е. Волл // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 12. - С. 1202-1206. - Библиогр.: 35 назв. - рус.

У гетеропереході Si/Si0,64Ge0,36 з дірковим типом провідності реалізовано ефект електронного перегріву. За допомогою загасання амплітуд осциляцій Шубнікова - де Гааза у разі зміни температури та прикладеного електричного поля знайдено температурну залежність часу електрон-фононної релаксації: taueph = 10-8T-2 с.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В313.223

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського