В роботі викладаються результати оптичних досліджень світлочутливих тришарових структур "Ag - PbI₂ - халькогенідний склоподібний напівпровідник Ge - As - Se". З'ясовано, що оптична густина D змінюється оборотно, якщо систему по черзі опромінювати лазерами з різними довжинами хвиль (442 і 633 нм). Результати опромінення (збільшення або зменшення D й амплітуди змін за цикл) суттєво залежать від хімічного складу напівпровідника, товщини бар'єрного шару (PbI₂) та умов опромінення.

• Гапоченко Світлана Дмитрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"