Вивчено фотоелектрохімічні процеси на GaAs- та InP-електродах. Встановлено, що в полісульфідній системі відбувається адсорбція іонів S^2-, що зменшує поверхневу рекомбінацію фотогенерованих носіїв заряду. Визначено концентрацію адсорбованих сульфід-іонів C = 0,2 ^. 10¹³ - 1,1 ^. 10¹³ см^-2 в електроліті, а також концентрацію поверхневих рекомбінаційних центрів на GaAs та InP N_t = (2 - 4) ^. 10⁹ см^-2. Для збільшення електрокаталітичної активності InP на його поверхню наносився нанорозмірний шар CdS. Показано, що за умови високої інтенсивності освітлення ККД фотоперетворення на цих електродах досягає 20 - 23 %.

• Колбасов Геннадій Якович (1944–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"