Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных высокотемпературных сверхпроводниковых кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков theta, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности xi(T). Показано, что в этих условиях прозрачность малоугловых границ раздела для сверхпроводящих носителей тока вблизи критической температуры T_c практически не зависит от theta и T. В результате единственным фактором, определяющим температурную зависимость плотности критического тока j_c(T), остается ток распаривания j₀(T) symbol Х (1 - T / T_c)³ / 2. Вблизи T_c, когда xi(T) > d, происходит переход от зависимости j_c(T) ~ (1 - T / T_c)³ / 2 к j_c(T) ~ (1 - T / T_c)². Такое поведение j_c(T) хорошо согласуется с результатами проведенных экспериментов по измерению критических токов в тонких эпитаксиальных пленках YBa₂Cu₃O_{7 - delta}.

• Пашицький Ернст Анатолійович (1936–) (фізико-математичні науки)
• Рябченко Сергій Михайлович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"