Бончик А. Ю. Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n - GaAs:Si / А. Ю. Бончик, И. И. Ижнин, С. Г. Кияк, Г. В. Савицкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 3. - С. 3-4. - Библиогр.: 7 назв. - ^apyc.Представлены результаты исследований влияния режимов ионной имплантации и импульсного некогерентного фотонного отжига на параметры имплантированных Si слоев n - GaAs на подложках полуизолирующего GaAs. Полученные слои характеризуются следующими параметрами: толщина 0,1 - 0,3 мкм, концентрация электронов <$E10 sup 17 ~-~ 10 sup 18 см sup -3 >, подвижность 2000 - 3000 см<^>2/(В·с). The results of investigation of the ion doping and photon annealing modes influence on properties of n-GaAs implanted with Si layers on semiinsulating substrates have been presented. The created layers were characterised next parameters: thickness 0,1-0,3 ?m, electron concentration 1017-1018 сm-3, mobility 2000-3000 сm2/(V·s). Ключ. слова: GaAs, ионная имплантация, фотонный отжиг, концентрация носителей, активность примеси. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|