Розглянуто питання напівпровідникових матеріалів та їх оптичних і фотоелектричних властивостей, а також квантових ям, нано- та гетероструктур. Описано методи діагностики напівпровідників, а також особливості структури, динаміки гратки та зонних спектрів низькорозмірних халькогенідів під впливом гідростатичного тиску. Проаналізовано вплив технологічних і радіаційних дефектів на явища переносу в елементі германії, а також конструктивних особливостей та радіаційно-термічної обробки на дозиметричні характеристики МДН-структур. Запропоновано базову модель кінетичної теорії рентгенолюмінесценції.

Рассмотрены вопросы полупроводниковых материалов и их оптических и фотоэлектрических свойств, а также квантовых ям, нано- и гетероструктур. Описаны методы диагностики полупроводников, а также особенности структуры, динамики решетки и зонных спектров низкоразмерных халькогенидов под влиянием гидростатического давления. Проанализировано влияние технологических и радиационных деффектов на явления переноса в химическом элементе "Германий", а также конструктивных особенностей и радиационно-термической обработки на дозиметрические характеристики МДН-структур. Предложена базовая модель кинетической теории рентгенолюминесценции.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"