Рассмотрены особенности исследования некоторых зонных параметров полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe, а также рассеяния носителей заряда в данных растворах на основе HgCdTe. Раскрыты физико-химические аспекты применения кристаллов систем Bi2Te3 - TIGaTe2 и Bi2Te3 - TIInTe2 в устройствах твердотельной электроники. Описаны методы необратимой модификации полупроводниковых подложек лазерным пучком милливаттной мощности, а также низкотемпературного повышения характеристик лазерных диодов. Проанализированы влияние лазерной обработки на свойства барьерных структур на основе монокристаллов In4Se3, а также особенности формирования квантовых точек на поверхности халькогенидов In и Ga.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"