Представлены результаты разработки и исследовния наноэлектронных устройств для регистрации и калибровки электромагнитных сигналов на основе джозефсоновских гетероструктур. Рассмотрено влияние электрического поля и механических напряжений на диффузию димеров Bi на грани (001) кремния и формирование оксидов на этой поверхности в присутствии субмоноатомных покрытий. Разработаны зондовые методы нанолокальной модификации электрических свойств полупроводниковых приборных структур. Усовершенствован метод молекулярно-лучевой эпитаксии и технологии получения наноразмерных слоев и наноструктур GeSi. Обоснована необходимость применения нанометрологии в промышленности для контроля качества новых материалов. Исследованы возможности получения генерации, усиления и умножения электромагнитных колебаний на гипервысоких частотах в структурах на основе матричных острийных катодов с резонансным многослойным алмазоподобным покрытием и с управлением лавинным пробоем. Проведены теоретические и экспериментальные исследования мезоскопических сверхпроводниковых структур с магнитными слоями. Установлено влияние внутренних и поверхностных состояний на спектры излучения квантовых точек CdS, синтезированных в боросиликатном стекле золь-гель-методом. Проанализированы особенности электрон-решетчатого энергообмена в металлических наночастицах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"