Проанализированы существующие математические модели полевых транзисторов Шоттки. Проведены исследования зависимости инвариантного коэффициента устойчивости для трех схем включения транзистора, выходного сопротивления схемы с общим стоком при индуктивном и активном сопротивлении, включенном на входе. Разработаны схемы активных СВЧ-фильтров, пригодных для исполнения в виде гибридной или полупроводниковой микросхемы.

The existent mathematical models of the field effect transistors Shottky are analysed. Researches of dependence of invariant stability coefficient for three transistor's circuit of including,output resistance of common source circuit with inductive and active resistance on the input port. The circuit of the active microwave filters that suitable for manufacturing as a hybrid or semiconductor microcircuit are developed.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"