Ковтун Г. П. Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Кондрик // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 3. - С. 5-7. - Библиогр.: 9 назв. - ^apyc.Методом компьютерного моделирования исследована равномерность распределения модуля температурного градиента G(r) вдоль радиуса кристалла алюмоиттриевого граната вблизи фронта кристаллизации в момент перехода от ускоренной к медленной стадии выращивания в зависимости от теплопроводности конусной части. Расчеты проведены при различных диаметрах кристалла и тигля. Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение зависимости G(r) на фронте кристаллизации при малых значениях модуля G. The uniformity of distribution of temperature gradient G(r) along radius of yttrium-aluminum garnet crystal near the crystallization front was studied in moment of transition from rapid to slow crystal growth stage depending on heat conductivity of cone part by means of computer simulation method. Calculations are performed at different diameters of crystal and crucible. The existence of optimal value of heat conductivity at which the dependence G(r) has a most uniform distribution and little value of modulus G was determined. Ключ. слова: алюмоиттриевый гранат, Чохральский, температурный градиент, компьютерное моделирование. Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147в641.8
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|