Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем (ДН) изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности ДН, его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения).

The task of realization of the high-speed nonrecursive digital filter on FPGA is considered. Ways of construction of high-speed elements of the filter are investigated: the multidigit shift register, the vector binary multiplier, the vector binary adder. In work examples of the description of these elements in language of description VHDL are resulted.

• Щербань Анастасія Павлівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"