Ковтун Г. П. Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Кондрик, А. П. Щербань // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 6. - С. 3-6. - Библиогр.: 5 назв. - рус.Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем (ДН) изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности ДН, его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения). The task of realization of the high-speed nonrecursive digital filter on FPGA is considered. Ways of construction of high-speed elements of the filter are investigated: the multidigit shift register, the vector binary multiplier, the vector binary adder. In work examples of the description of these elements in language of description VHDL are resulted. Ключ. слова: арсенид галлия, монокристаллы, метод Чохральского, компьютерное моделирование, тепловое поле. Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147в641.8
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|