Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs-InGaAs-AlGaAs c тремя р-п-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р-п-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. Приведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"