РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000063681<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Казаков А. И. 
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO2-Nd2O3 / А. И. Казаков, А. В. Андриянов, В. С. Миронов, О. В. Поляруш // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 1. - С. 52-54. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO2-Nd2O3, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Установлено, что данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использованы для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO2-Nd2O3.

The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO2-Nd2O3, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results ofexperiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HfO2-Nd2O3.Z


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326 + З843.395

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського