Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si - SiO2 - Ta2O5 не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Показан расчёт, что при соотношении толщины пленок Ta2O5 и SiO2 как 1:10 радиус кривизны пластины со сформированными диэлектриками стремится к бесконечности, а сама кривизна - к нулю. Рассчитаны упругие постоянные для пленки Ta2O5.

Owing to rise in VLSIC integration, searching for new materials for VLSIC capacitor becomes significant. There was proposed a version of combined capacitor dielectric for VLSIC capacitors on basis of tantalum pentaoxide. Pentaoxide of tantalum has a very high permittivity and good technological compatibility with silicon oxide. The peculiarity of two-layer combined dielectric SiO2-Ta2O5 is that the polarity of voltages development in the systems Si-SiO2 and Si-Ta2O5 has different values. To find an optimal combination of layers when the system does not experience mechanical elastic deformation, there was built a model of elastic stresses in the system Si-SiO2-Ta2O5 . The calculations showed, when width of Ta2O5 and SiO2 are in the ratio 1:10, waferradius of curvature with formed dielectrics approaches infinity, the curvature itself - zero. Besides that, based on experimental data and by means of mathematical mode, there were calculated elastic constants for Ta2O5 film.

• Пилипенко Віта Анатоліївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"