Досліджено поведінку магнітоопору в діапазоні полів <$E0~ symbol Ш ~14~ roman Тл>, а також вплив температури та деформації на величину і характер від'ємного магнітного опору (ВМО) в ниткоподібних кристалах твердого розчину <$Eroman Ge sub x roman Si sub {1~-~x }> (х = 0,01 - 0,05) р-типу провідності, легованих бором до концентрацій, що відповідають близькості до переходу метал-діелектрик. Установлено, що магнітоопір істотно залежить від рівня легування та деформації зразків в області низьких температур і описується теорією квантових поправок. У слабких магнітних полях в температурному діапазоні <$E7~ symbol Ш ~10~ roman К> виявлено ВМО, зумовлений провідністю по делокалізованих станах верхньої зони Хаббарда.

Magnetoresistance as well as temperature and strain influence on the magnitude of negative magnetoresistance (NMR) of p-GexSi1-x (х = 0.01-0.05) whiskers doped with boron to concentrations closed to metal-insulator transition in magnetic fields 0-14 Twere investigated. Magnetoresistance was shown to depend on doping level and strain of the whiskers at low temperatures and can be explained by Altshuler's theory. NMR was observed in weak magnetic field at temperature range 7-10 K. It appears due to conduction on delocalized states of the Upper Habbard Band

• Дружинін Анатолій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Островський Ігор Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"