Проаналізовано поверхні кремнію після плазмового випромінювання <$Eroman {CF sub 4 ,~CF sub 4 ~+~H sub 2 ,~CF sub 2 Cl sub 2 }>. На підставі результатів еліпсометричних вимірювань виявлено утворення багатошарових структур на поверхні кремнію через плазмове випромінювання. Їхні оптичні параметри були змінені до 2 mm по глибині. Визначено, що оптична відповідність значною мірою залежить від тривалості офорту в плазмі <$Eroman {CF sub 2 Cl sub 2 }> і варіювання від чистої поверхні кремнію до зразків, що має нерегулярне інтерференційне зображення в діелектричних спектрах функції. Малі відхилення можна моделювати як відносно тонкі і прозорі шари (30 - 50 nm), утворені <$Eroman SiO sub 2> або іншими матеріалами, подібними до CH, <$Eroman SiF sub x>, оптичні параметри яких і значення <$Eepsilon> є близькими до нього. Полімеризація на поверхні кремнію є ефективною в плазмі <$Eroman {CF sub 4 ~+~H sub 2 }> і стає інтенсивнішою, коли концентрація <$Eroman H sub 2> зростає. Установлено, що 4-шарова структура утворюється на поверхні, коли кремній знаходиться в плазмі <$Eroman {CF sub 4 ~+~20~%~H sub 2 }>. Вуглець же є домінуючим у першому шарі. Коефіцієнт заломлення і товщина цього шару інтенсивно варіюється, поки переважають межі <$Eroman CF sub x> і C-<$Eroman CF sub x>. Виявлено, що межі Si-Fx і Si-C превалювали у другому глибшому шарі. Третій шар є кремнієм, ушкодженим через іонне бомбардування. Коефіцієнт заломлення дорівнював 4,63.

Silicon surface was analyzed after radiation by CF4, CF4+H2, CF2Cl2 plasmas in this work. Formation of multilayer structures on the silicon surface during plasma treatment was obtained after ellipsometric measurement. Their optical parameters were changed to 2 ?m in the depth. Optical response strongly depends on the etching duration in the CF2Cl2 plasma and varying from pure silicon surface to samples having irregular interference image in the dielectric function spectra. Small deflections can be modeling as relatively thin and transparent layers (30-50 nm) formatted as SiO2 or other transparent materials, like CH, SiFx, which optical parameters and ? value is close to it. Polymerization on silicon surface is effective in CF4+H2 plasma and became more intensive when H2 concentration increases. Four-layer structure formatted on the surface when silicon is treated in CF4+ 20% H2 plasma. Fluorinated and hydrogenated carbon is predominant in the first layer. Refractive index and thickness of this layer intensively varied while CFx and C-CFx bounds predominate. Si-Fx and Si-C bounds dominated in the second deeper layer. The third layer is silicon damaged by ion bombardment. Its refractive index equals 4.63

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"