Проаналізовано вплив землі в процесі використання методу парціальних діаграм направленості антен на вимірювання малих кутів. Наведено результати досліджень початкових дефектів та домішок, а також конструктивних дефектів на параметри кремнієвих фотоелектричних перетворювачів. Викладено методику проведення жидкофазної епітаксії монокристалічних шарів складних сполук для створення високочутливих та високонадійних детекторів радіаційного випромінювання, а також методику дослідження оптичної неоднорідності, напівпровідникових матеріалів, які використовуються для створення інфрачервоних лазерів. Розглянуто ітераційний алгоритм підвищення точності вимірів у фазовимірювальних схемах інтерференційного типу, наведено вольт-амперні характеристики діодів у чотиридетекторних схемах.

Проанализировано влияние земли в процессе использования метода парциальных диаграмм направленности антенн на измерение малых углов. Приведены результаты исследований начальных дефектов и примесей, а также конструктивных дефектов на параметры кремниевых фотоэлектрических преобразователей. Изложены методика проведения жидкофазной эпитаксии монокристаллических слоев сложных соединений для создания высокочувствительных и высоконадежных детекторов радиационного излучения, а также методика исследования оптической неоднородности, полупроводниковых материалов, используемых для создания инфракрасных лазеров. Рассмотрен итерационный алгоритм повышения точности измерений в фазоизмеряемых схемах интерференционного типа, приведены вольт-амперные характеристики диодов в четырехдетекторных схемах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"