Наведено результати досліджень часу життя r та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного розв'язку. На підставі проведеного порівняльного аналізу одержаних значень r і L обгрунтовано вибір оптимального варіанта конструктивно-технологічного розв'язку вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП.

Приведены результаты исследований времени жизни r и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений r и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.

The investigated values of lifetime ? and diffusion length L of minority charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values.

Ключ. слова: фотопреобразователь, монокристаллы Si, конструкция, технология, параметры
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Зайцев Роман Валентинович (1986–) (фізико-математичні науки)
• Дейнеко Наталя Вікторівна (фізико-математичні науки)
• Копач Володимир Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"