Кушниренко В. В. Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в <$Eр sup + ~-~n>-диоде / В. В. Кушниренко, Г. К. Нинидзе, С. П. Павлюк, С. М. Савицкий, О. В. Третяк // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 1. - С. 32-35. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока, приводящего к резкому неоднородному разогреву кристалла. Проведены исследования изменения характеристик кристаллов промышленных диодов КД105-КД209. Определены энергетические параметры вводимых новых центров рекомбинации. Regulated change of time of a life of nonbasic carriers of a charge in base diode crystal of the semiconductor under action of a short modifying pulse of the current resulting to sharp non-uniform warming up of a crystal is offered. Researches of change of the characteristics crystals of industrial diodes КД105-КД209 are lead. Power parameters of the entered new recombination centres are determined. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|