Методом Бриджмена выращены кристаллы <$Eroman {FeIn sub 2 Se sub 4}>, имеющие слоистую структуру и магнитную компоненту. Созданы гетеропереходы (ГП) n-InSe - p-<$Eroman {FeIn sub 2 Se sub 4}>. Из ВФХ ГП определена величина потенциального барьера, измерены ВАХ и температурные зависимости прямых ветвей ВАХ, а также определен диодный коэффициент ВАХ. Последовательное сопротивление ГП определяет частотную зависимость ВФХ и уменьшает экспоненциальный рост тока с напряжением. Спектр фоточувствительности ГП имеет только длинноволновый порог при 1,25 эВ и простирается в ультрафиолетовую область с возрастанием квантовой эффективности фототока.

<$Eroman {FeIn sub 2 Se sub 4}> crystals, having the layered structure and a magnetic component, have been grown by the Bridgman method. N-InSe - p-<$Eroman {FeIn sub 2 Se sub 4}> heterojunctions were produced. A value of the potential barrier of heterojunctions was determined from the capacitance-voltage characteristics. Current-voltage characteristics and the temperature dependences of the forward branches of the current-voltage characteristics were measured too. A diode coefficient of the current-voltage characteristics is determined. A series resistance of heterojunctions determines the frequency dependence of the capacitance-voltage characteristics and decreases an exponential growth of the current with the voltage. The photoresponse spectra of heterojunctions have only the long-wave threshold at 1.25 eV and extend in an ultraviolet with the increasing of the photocurrent quantum efficiency.

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Нетяга Віктор Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"