Наведено результати квантово-хімічних розрахунків адсорбції Al на кластерах, що моделюють упорядковані поверхні Ge (100)-(<$E2~ times ~1>). Для кластера <$Eroman Ge sub 33> отримано три можливі варіанти покриття такої поверхні атомами Al: модель насичених зв'язків атомів димерів Ge (модель 1) і моделі "вертикальних" та "горизонтальних" димерів Al-Al (моделі 2 і 3). Виконано порівняння електронних станів поверхні Ge (100) за різних моделей покриття атомами Al. Наведено розрахункові дані геометрії та електронних станів поверхонь що відповідають моделям 1 - 3. Обговорено фізичні причини утворення димерів Al-Al на поверхнях Ge (100).

The results of quantum-chemical calculations of Al adsorption on clusters simulating ordered Ge (100)-(<$E2~ times ~1>) surfaces are presented in this work. For <$Eroman Ge sub 33> cluster three possible states of Al atoms coverage of such a surface were obtained: model of saturated bonds of Ge dimer atoms (model 1) and models of "vertical" and "horizontal" Al-Al dimers (models 2 and 3). Comparison of electronic states of Ge(100) surface is carried out at different Al atoms coverage. The calculation data of geometry and electronic states of surfaces corresponding to these models 1,2,3 are given in the work. The physical reasons of Al-Al dimers formation on Ge (100) surfaces are discussed.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"