По результатам моделирования определены тенденции изменения порогового напряжения р-канального МОП-транзистора в соответствии с изменениями удельного сопротивления эпитаксиальной пленки <$Erho sub v> и толщины подзатворного окисла d. Получены экспериментальные образцы в эпитаксиальных пленках с различными значениями <$Erho sub v> и d. Определены наиболее приемлемые (с учетом условий производства) значения <$Erho sub v> и d, позволяющие получить требуемые значения порогового напряжения исследуемого транзистора.

The tendencies of PMOS transistor threshold voltage changes were specified as a result of simulation in accordance with ?v and d spreads. The experimental samples were received in epitaxial films of different specific resistance ?v and with gate oxidethickness d values. After the experimental data comparison with the simulation results there were determined the most acceptable (with consideration of the production conditions) the values of ?v and d, ensuring the required values of the threshold voltage of the analyzed transistor.

Ключ. слова: рМОП-транзистор, технологический маршрут, моделирование

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"