Разработаны схемы комбинированных полупроводниковых индуктивностей, пригодных для исполнения в виде гибридной или полупроводниковой микросхемы. Использование двухзатворных транзисторов Шоттки позволяет реализовать полупроводниковые индуктивности величиной в несколько наногенри на частоте 18 - 20 ГГц при коэффициенте температурной нестабильности <$E0,07 ~%~ cdot ~ symbol Р roman С sup -1> в температурном диапазоне <$E0 ~-~ 40~ symbol Р roman С>. В отличие от пленочных индуктивностей они обладают большей индуктивностью и добротностью, которая не зависит от геометрических размеров.

The circuit of the combine semiconductor active inductor that suitable for manufacturing as a hybrid or semiconductor microcircuit are developed. Use of dual-gate transistors Shottki allows to realize semiconductor inductors in size in some nanohenry on the 18-20 GHz frequency range at factor of temperature instability 0,07%·°C-1 in a temperature range 0-40°С. In difference from thin film inductors they possess greater inductivity and quality factor which does not depend on the geometrical sizes.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"