Горев Н. Б. Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н. Б. Горев, И. Ф. Коджеспирова, Е. Н. Привалов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 6. - С. 3-5. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Показано, что напряжение отсечки ионно-имплантированного полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) на GaAs с хорошей точностью соответствует напряжению, при котором на вольт-фарадной характеристике появляется точка перегиба. Предложен метод прогнозирования напряжения отсечки ионно-имплантированных ПТШ с помощью вольт-фарадных измерений до нанесения контактов. It is shown that the threshold voltage of a GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistor corresponds with a good accuracy to the voltage at which an inflection point appears in the capacitance-voltage characteristic. A method for predicting the threshold voltage of ion-implanted field-effect transistors using capacitance-voltage measurements prior to contact formation is proposed. Ключ. слова: арсенид галлия, полевой транзистор, барьер Шоттки, напряжение отсечки, вольт-фарадная характеристика Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|