Исследован процесс формирования Т-образного затвора в малошумящих полевых транзисторах миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Предложена технологическая схема формирования Т-образного затвора, основанная на использовании электронно-лучевого экспонирования трехслойной резистивной структуры, состоящей из двух слоев электронного резиста, разделенных тонким слоем металла. Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8 - 1,0 мкм.

Process of formation of the T-shaped gate for low noise field effect transistors of a millimetric and sub-millimetric ranges of wave lengths. The technology of formation of the T-shaped gate is based on use of electron beam exhibiting of the three-layer resistive structure consisting of two layers electronic resists, divided by a thin metal layer. Experimental samples of transistors with T-shaped gates in height 1,1 microns, length of the bottom part 0,15 microns and the top part 0,8-1,0 microns arereceived.

• Ткаченко Володимир Володимирович (1964–) (історичні науки)
• Ткаченко Вікторія Вікторівна (економічні науки)
• Ткаченко Володимир Васильович (ветеринарні науки)
• Ткаченко Володимир Валентинович (економічні науки)
• Ткаченко Валентина Василівна (юридичні науки)
• Ткаченко Віта Віталіївна (юридичні науки)
• Ткаченко Вадим Владиславович (технічні науки)
• Ткаченко Вадим Володимирович (педагогічні науки)
• Ткаченко Василь Васильович (технічні науки)
• Ткаченко Віктор Васильович (технічні науки)
• Ткаченко Валентина Володимирівна (медичні науки)
• Ткаченко Владислав Володимирович (педагогічні науки)
• Ткаченко Василь Володимирович (технічні науки)
• Ткаченко Вікторія Валеріївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"