Рассмотрены физико-технологические ограничения при формировании твердотельных МОП-структур различного типа в составе кремниевых БИС и СИС. Показаны возможности повышения их технологичности на основе самосовмещенных процессов формирования пленочных структур, в частности при использовании твердофазных реакций тугоплавких переходных металлов с кремнием, протекающих в условиях изотермической и импульсной термообработок, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов.

Physics-technological restrictions at solid state MOS structures forming for the silicon VLSIs and integrates circuits of lower integration are examined. The possibilities of their technological repeatability improvement on the basis of self-aligned processes of thin films structures forming are shown. They include the solid state reactions of the refractory transition metals with silicon at the conditions of isothermal and pulse thermal treatment as well as creation of DMOS transistors with verticalstructure, important for power semiconductor devices development and manufacture.

• Баранов Віталій Вячеславович (економічні науки)
• Баранов В'ячеслав Валерійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"