Босый В. И. Формирование прозрачных омических контактов к р - GaN для светоизлучающих диодов / В. И. Босый, Н. Г. Данилов, В. П. Кохан, В. А. Новицкий, Е. М. Семашко, В. В. Ткаченко, Т. А. Шпоняк // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 3. - С. 43-45. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Приведены результаты исследований омических контактов на основе пленок Ni - Au к р-области нитрида галлия. Проведены исследования влияния толщины слоев Ni/Au, условий нанесения и формирования контакта на удельное контактное сопротивление, перераспределение элементов в структурах металл - полупроводник и оптические свойства контактной системы. Получены омические контакты (Ni - Au)/р - GaN с удельным контактным сопротивлением <$E(1~ symbol Ь ~2)~ cdot ~10 sup -3 ~ roman {Ом~ cdot ~см sup 2 }> и прозрачностью 78 % на длине волны 460 нм. Results of researches of ohmic contacts on the basis of Ni-Au films to p-GaN are demonstrated in the given work. Influences of thickness of layers Ni/Au, conditions of metal deposition and contact formation regimes on specific contact resistance, redistribution of elements in metal-semiconductor structures and optical properties of contact system are investigated. Ohmic contacts (Ni-Au)/р-GaN with specific contact resistance (1...2)·10-3 Оhm·сm2 and a transparency of 78% on length of a wave of 460 nanometers are received. Ключ. слова: светоизлучающий диод, омический контакт, р-область GaN, пленка Ni/Au Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|