Предложена система охлаждения модифицированного сверхвысокочастотного микроэлектронного блока с целью увеличения рабочей мощности транзистора до 55 Вт. Для понижения температуры транзистора предложены уменьшение контактного термического сопротивления цепи транзистор - посадочное место блока, создание дополнительного теплоотвода от корпуса транзистора с помощью тепловой трубы, а также улучшение изотермичности основания блока с помощью встроенных тепловых труб. Приведены результаты экспериментальных исследований термической эффективности этих предложений.

The modification of existing cooling system of high-frequency transistor, used in microelertonic umit, in order to increase its working power from 27 W to 51,5 W. Elaboration includes three independent ways to lower a transistor temperature:- reducingof contact thermal resistance in the line "transistor-mounting place of unit", creation of additional way of heat removal from transistor by miniature heat pipe and improvement of isothermality of unit' baseplate by imbeding into it the heat pipes. Experimental results of thermal efficiency of these proposals either the prediction of transistor temperature are considered as well.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"