Інтегральний та диференційний профілі енергій пасток у фталоціанінах міді досліджено з використанням методу модульованих фотострумів. Вимірювання виконано на зразку та паралельними електродами. Густину пасток визначено двома способами. З'ясовано, що залежно від передісторії зразка, диференційних профіль пасток є експоненційним з характеристичною температурою 520 К, або подвійним експоненційним з характеристичними температурами 350 та 580 К. Вигляд інтегрального профіля передбачає складну температурну залежність часу рекомбінації носіїв.

The integral and differential energetic profiles of traps in evaporated copper phthalocyanine have been investigated by modulated photocurrents technique. The measurements have been performed on the sample with coplanar electrodes. The density of trapping states has been determined using two methods of data analysis. It has been found that, depending on the treatment, the differential profile of traps is exponential with characteristic temperature of 520 K, or double-exponential with characteristic temperatures of 350 K and 580 K. The course of integral trap profile suggests distinct temperature dependence of the carrier recombination time.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"