Рассмотрены принципы построения и технология создания матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового излучения на основе природного алмаза. Проведены измерения спектральных, вольтамперных характеристик, темновых токов и токов утечки при различных прикладываемых напряжениях для линейчатых <$E2~ times ~64> и матричных <$E64~ times ~64> фотоприемных устройств. Показано, что поверхностные токи утечки играют доминирующую роль в ограничении фоточувствительности данных структур. Обнаружен значительный разброс темнового тока и фототока матричных фотоприемников на основе натурального алмаза, связанных с неоднородностью дефектной структуры.

Principles of construction and technology of creation of matrix photodetecting devices of ultra-violet radiation on the basis of natural diamond are considered. Measurements of spectral, volt-ampere characteristics, of dark current and leakage currents were carried out at various voltages for linear (2|64) and matrix (64|64) photodetecting devices. The basic opportunity of creation of such multielement structures possessing high sensitivity is shown for the first time. It is shown, that surface leakage currents play the dominating role in restriction of photosensivity of the given structures. It is found the significant dispersion of dark current and a photocurrent of matrix photodetectors on the basis of the natural diamond, concerned with heterogeneity of defective structure.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"