Кулинич О. А. Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния / О. А. Кулинич, В. А. Смынтына, М. А. Глауберман, Г. Г. Чемересюк, И. Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 5. - С. 62-64. - Библиогр.: 64 назв. - рус.С помощью современных методов исследована сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах "кремний-диоксид кремния". Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. Показано влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния. The near-surface silicon layers in silicon Ц dioxide silicon systems with modern methods of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. It is shown the influence of initial defects on mechanical stress and deformation distribution in oxidized silicon. Ключ. слова: кремний, оксид, дефекты. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|