РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000110446<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Горев Н. Б. Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н. Б. Горев, И. Ф. Коджеспирова, Е. Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 4. - С. 52-54. - Библиогр.: 54 назв. - рус. Предложен неитерационный численный метод расчета зависимости барьерной емкости ионно-имплантированных структур GaAs от напряжения на барьере Шоттки. Выявлены особенности низко- и высокочастотной вольт-фарадной характеристики этих структур, обусловленные наличием глубоких центров захвата. A noniterative numerical method is proposed to calculate the barrier capacitance of GaAs ion- implanted structures as a function of the Schottky barrier bias. The features of the low- and high- frequency capacitance-voltage characteristics of these structures which are due to the presence of deep traps are elucidated. Ключ. слова: арсенид галлия, ионно-имплантированная структура, барьер Шоттки, вольт-фарадная , глубокие центры захвата. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2с116 Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського