Разработана математическая модель ВАХ оптоэлектронной пары "фотодиоды-ДМОП-транзистор", которая позволяет установить взаимосвязь ее электрических параметров с конструктивными и электрофизическими параметрами фотодиодов и ДМОП-транзисторов. Предложена конструкция интегрального оптоэлектронного коммутатора на ДМОП-транзисторах на структурах "кремний с диэлектрической изоляцией". При этом возможно оптическое управление исполнительными устройствами, включенными как в истоковую, так и в стоковую цепь ключевого транзистора.

The characteristics of optoelectronic couples photodiodes-DMOS-transistor are studied in the paper. There was developed a mathematical model of volt-ampere characteristic of the given optoelectronic couple which allows to determine interrelation of its electric parameters with constructive and electrophysical parameters of photodiodes and DMOS-transistors. There was suggested a construction of integral optoelectronic switch, based on DMOS-transistors on the silicon with dielectric insulation structures (SDIS). Possible is the optic control of executive devices, connected both to the source and drain circuits of the switching transistor.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"