Разработана методика получения p+Цn-диодных эпитаксиальных структур GaP из жидкой фазы. В диапазоне температуры 80 - 520 К измерены термометрические и вольтамперные характеристики опытных образцов диодных сенсоров температуры и определены их основные технические параметры. Показана перспективность применения разработанных GaP-диодов в качестве чувствительных элементов высокотемпературных сенсоров.

The method of reception of p+Цn-diode epitaxial structures of GaP from liquid phase is developed. In the temperature range of 80Ч520 K thermometric and current-voltage characteristics of test models of diode temperature sensors are measured and their basic technical parameters are determined. Perspectivity of developed GaP-diodes application as sensitive elements of high-temperature sensor is shown.

Ключ. слова: сенсор, температура, диод, GaP.
Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Шварц Марина Михайлівна (фізико-математичні науки)
• Шутов Сергій Владиславович (медичні науки)
• Шутов Станіслав Вікторович (1959–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"